Формализованное описание лавины электронов в канале микроканальной пластины

  • Белорусский государственный университет, пр. Независимости, 4, 220030, г. Минск, Республика Беларусь

Аннотация

Приведено формализованное описание образования и движения лавины вторичных электронов в канале микроканальной пластины, расположенном перпендикулярно ее входной поверхности. В функциональное уравнение (полученное ранее), описывающее этот процесс, добавлен коэффициент вторичной эмиссии покрытия канала, благодаря чему появилась возможность связать выходной импульс пластины с ее полупроводниковыми параметрами. Представлены математические выражения, описывающие движение каждого электрона как в формирующейся лавине, так и на выходе канала, и их вывод. Полученные таким образом формулы образуют уравнение, или аналитическую модель, формирования выходного сигнала. Его решения при разных исходных данных позволяют учесть практически все внутренние характеристики полупроводникового эмиттера и исследовать их влияние на такой выходной параметр пластины, как ее коэффициент усиления по току. Представлены вычисленные графики зависимос ти коэффициента усиления канала от глубины полупроводникового эмиттера и величины его запрещенной зоны. Кроме того, описаны результаты вычислений при предположении распределенного по глубине слоя эмиттера. Все выводы не противоречат экспериментальным данным.

Биография автора

, Белорусский государственный университет, пр. Независимости, 4, 220030, г. Минск, Республика Беларусь

кандидат физико-математических наук; доцент кафедры телекоммуникаций и информационных технологий факультета радиофизики и компьютерных технологий

Опубликована
2017-04-04
Как цитировать
, . Формализованное описание лавины электронов в канале микроканальной пластины. Журнал Белорусского государственного университета. Физика, [S.l.], n. 1, p. 61-66, апр. 2017. ISSN 2520-2243. Доступно на: <http://journals.bsu.by/index.php/physics/article/view/10>. Дата доступа: 20 ноя. 2017