Подпотенциальное осаждение висмута и свинца на теллуриде висмута: новое понимание электрохимического синтеза теллурида висмута и оценки реальной площади поверхности - Боковец, Алексей Степанович; Анискевич, Евгений Николаевич; Рагойша, Геннадий Антонович; Стрельцов, Евгений Анатольевич (Журнал Белорусского государственного университета. Химия, 2017)
Обнаружено явление подпотенциального осаждения (UPD) свинца и висмута на теллуриде висмута (Bi2Te3) со значениями подпотенциального сдвига 0,3 и 0,1 В соответственно. UPD свинца позволяет определять реальную площадь поверхности теллурида висмута. Потенциодинамический профиль UPD Pb значительно отличается на теллуриде висмута и теллуре, что можно использовать для оценки чистоты электроосаждаемого теллурида висмута. Теллурид висмута осаждали из азотнокислого раствора TeO2 и соли висмута на стальные подложки, используя импульсное осаждение и циклическую вольтамперометрию (ЦВА). Результаты ЦВА свидетельствуют о формировании теллурида висмута в том же интервале потенциалов, где происходит анодное окисление висмута, что исключает формирование металлического Bi0 в качестве интермедиата осаждения Bi2Te3. Адатомы висмута более стабильны, чем металлический (массивный) Bi0 на теллуриде висмута, в связи с чем вероятно их участие в электроосаждении теллурида висмута. Потенциалы импульсного осаждения оптимизировали, учитывая процесс UPD висмута. Отсутствие фаз Te и Bi в электроосажденном Bi2Te3 было подтверждено путем использования рентгенофазового анализа и ЦВА. Электроосаждение из растворов с избыточным содержанием Bi3+ в электролите выявило формирование третьей формы Bi0, характеризуемой промежуточным значением потенциала окисления между массивным Bi0 (первая форма) и адатомами Bi (вторая форма), которая может соответствовать атомам висмута, интеркалированным в плоскости Ван-дер-Ваальса теллурида висмута. Интеркаляция Bi может быть интересна как потенциальное средство для расслоения слоистой структуры теллурида висмута.