Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторов - Оджаев, Владимир Борисович; Панфиленко, Анатолий Кузьмич; Петлицкий, Александр Николаевич; Просолович, Владислав Савельевич; Ковальчук, Наталья Станиславовна; Соловьев, Ярослав Александрович; Филипеня, Виктор Анатольевич; Шестовский , Дмитрий Викторович (Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 2020)
Исследованы силовые МОП-транзисторы с вертикальной структурой. В ряд приборов дополнительно производилась ионная имплантация азота с энергиями 20 и 40 кэВ в диапазоне доз 1 ⋅1013–5 ⋅ 1014 см –2 через защитный оксид толщиной 20 нм. Для одной группы пластин сначала выполнялся быстрый термический отжиг, затем осуществлялось снятие оксида (прямой порядок), для другой группы – в противоположной последовательности (обратный порядок). Установлено, что при дополнительном внедрении ионов азота дозами 1⋅ 1013–5 ⋅ 1013 см –2 с энергией 20 кэВ наблюдается увеличение заряда пробоя подзатворного диэлектрика для прямого порядка отжига. Максимальный эффект имел место для образцов при дозе ионов азота 1 ⋅1013 см –2 и прямом порядке термообработки. Это обусловлено взаимодействием в процессе отжига атомов азота с оборванными связями границы раздела Si – SiO2, в результате чего образуются прочные химические связи, препятствующие накоплению заряда на поверхности границы раздела Si – SiO2. Предположено, что основной вклад в ток утечки затвора вносит туннелирование носителей заряда через ловушки.