О влиянии упругих напряжений на диффузию бора в кремнии - Оджаев, Владимир Борисович; Плебанович, Владимир Иванович; Тарасик, Мария Иосифовна; Челядинский, Алексей Романович (Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 2017)
Исследовано влияние упругих напряжений на диффузию имплантированного бора в слоях кремния, дополнительно легированных примесями IV группы Ge или C с противоположным воздействием на период решетки кремния. В слоях, предварительно легированных германием и затем подвергшихся имплантированию ионами В+, достигается компенсация упругих напряжений, тогда как дополнительная имплантация в слои с бором ионов С+ повышает напряжения в них. В слоях, дополнительно легированных как германием, так и углеродом, коэффи циенты диффузии имплантированного бора уменьшаются в силу того, что ответственные за его ускоренную диффузию междоузельные атомы Si расходуются на вытеснение атомов Ge и C из узлов решетки кремния (эффект Воткинса). Из полученных результатов следует, что упругие напряжения существенно не влияют на скорость диффузии бора в кремнии.