Оптические и электронные свойства твердых растворов германий – кремний - Смирнова, Ольга Юрьевна; Стельмах, Георгий Фомич; Покотило, Юрий Мефодиевич; Петух, Алла Николаевна; Маркевич, Владимир Павлович; Королик, Ольга Васильевна; Мазаник, Александр Васильевич (Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 2019)
Электронные и структурные свойства твердых растворов Ge1-x Six (x = 0 - 0,062), выращенных методом Чохральского и имплантированных водородом, изучались с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней и комбинационного рассеяния света. Установлено, что сувеличением доли кремния в растворе однофононный пик комбинационного рассеяния света, обусловленный колебаниями Ge-Ge, смещается в область более низких частот со скоростью ΔωGe - Ge/Δx = (31,3 ± 0,7) см-1, а температура максимума пика нестационарной спектроскопии глубоких уровней и комбинационного рассеяния света основного радиационного дефекта при постоянной скорости эмиссии электронов en возрастает. Соответствующее увеличение свободной энергии ионизации для эмиссии электронов составляет ΔEe/Δx = (2,9 ± 0,1) эВ. В ангармоническом приближении потенциала взаимодействияатомов в кристалле из анализа смещения пика комбинационного рассеяния света найдена зависимость уменьшения постоянной решетки Ge1-xSix, соответствующая закону Вегарда a(x)= aGe-(aGe-aSi)x = 5,623 (0,25 ± 0,3)x Å,с ростом содержания Si. Установлена линейная зависимость изменения энергии активации дефекта от параметра решетки ΔEe/Δa = (1,6 ± 0,2) мэВ/Å. Показано, что увеличение энергии ионизации дефекта связано с уменьшением средней длины связи Ge-Ge.