Уточнение критерия сильной локализации электронов на поверхности полупроводника - Муратов, Темур Ташкабаевич (Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 2019)
Анализируется возможность значительной локализации двумерного электронного газа на поверхности сильнолегированного полупроводника. Получена аналитическая формула для среднего сечения низкоэнергетического рассеяния приповерхностных электронов с учетом функции распределения Ферми – Дирака. Отмечается существенная особенность точки EF = 0 в квазидвумерных электронных системах, в отличие от их трехмерных аналогов. На основе правила Иоффе – Регеля и полученной формулы для среднего сечения рассеяния найден более точный, реалистичный критерий сильной локализации, чем тот, который был определен в других цитируемых работах.