Колесникова, Е.А., Углов, В.В., Кулешов, А.К. и Русальский, Д.П. 2021. Формирование эпитаксиальных пленок InSb на полуизолирующем GaAs(100) методом взрывного термического испарения: их структура и электрические свойства. Журнал Белорусского государственного университета. Физика. 3 (окт. 2021), 20-25. DOI:https://doi.org/10.33581/2520-2243-2021-3-20-25.