[1]
Лобанок, М.В., Прокопьев, С.Л., Моховиков, М.А., Королик, О.В. и Гайдук, П.И. 2022. Формирование эпитаксиальных слоев 3C-SiC на Si методом быстрой вакуумно-термической обработки. Журнал Белорусского государственного университета. Физика. 2 (июн. 2022), 79-86. DOI:https://doi.org/10.33581/2520-2243-2022-2-79-86.