(1)
Колесникова, Е. А.; Углов, В. В.; Кулешов, А. К.; Русальский, Д. П. Формирование эпитаксиальных пленок InSb на полуизолирующем GaAs(100) методом взрывного термического испарения: их структура и электрические свойства Журнал Белорусского государственного университета. Физика 2021, 20-25.