Колесникова, Е. А., Углов, В. В., Кулешов, А. К., & Русальский, Д. П. (2021). Формирование эпитаксиальных пленок InSb на полуизолирующем GaAs(100) методом взрывного термического испарения: их структура и электрические свойства. Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 3, 20-25. https://doi.org/10.33581/2520-2243-2021-3-20-25