Колесникова, Евгения Александровна, Владимир Васильевич Углов, Андрей Константинович Кулешов, и Дмитрий Петрович Русальский. 2021. «Формирование эпитаксиальных пленок InSb на полуизолирующем GaAs(100) методом взрывного термического испарения: их структура и электрические свойства». Журнал Белорусского государственного университета. Физика, вып. 3 (октябрь), 20-25. https://doi.org/10.33581/2520-2243-2021-3-20-25.