Колесникова Е. А., Углов В. В., Кулешов А. К., Русальский Д. П. Формирование эпитаксиальных пленок InSb на полуизолирующем GaAs(100) методом взрывного термического испарения: их структура и электрические свойства // Журнал Белорусского государственного университета. Физика. 2021. 3. СС. 20-25.