Колесникова, Е. А., Углов, В. В., Кулешов, А. К. и Русальский, Д. П. (2021) «Формирование эпитаксиальных пленок InSb на полуизолирующем GaAs(100) методом взрывного термического испарения: их структура и электрические свойства», Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 3, сс. 20-25. doi: 10.33581/2520-2243-2021-3-20-25.