[1]
М. В. Лобанок, С. Л. Прокопьев, М. А. Моховиков, О. В. Королик, и П. И. Гайдук, «Формирование эпитаксиальных слоев 3C-SiC на Si методом быстрой вакуумно-термической обработки», Журнал Белорусского государственного университета. Физика, вып. 2, сс. 79-86, июн. 2022.