Odzaev VB, Panfilenka AK, Pyatlitski AN, et al. Influence of nitrogen ion implantation on the electrophysical properties of the gate dielectric of power MOSFETs. Журнал Белорусского государственного университета. Физика. 2020;(3):55-64. doi:10.33581/2520-2243-2020-3-55-64