Формирование эпитаксиальных слоев 3C-SiC на Si методом быстрой вакуумно-термической обработки - Лобанок, Михаил Владимирович; Прокопьев, Станислав Леонидович; Моховиков, Максим Александрович; Королик, Ольга Васильевна; Гайдук, Петр Иванович (Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 2022)
Представлены результаты исследования структуры и фазового состава эпитаксиальных слоев карбида кремния (SiC), сформированных на кремниевых подложках с ориентацией (100) при быстрой вакуумно-термической обработке. Методами просвечивающей электронной микроскопии установлено образование эпитаксиальных слоев кубического политипа SiC (3C-SiC) на кремнии в процессе карбидизации при 1100 °С в течение 30 с при использовании в качестве источника углерода газовой смеси пропана (10 %) и аргона (90 %). Обнаружено формирование монокристаллического 3С-SiC с поликристаллическими включениями и двойниками по всем возможным плоскостям 111. Достаточно узкая полоса 793 см–1 поперечной оптической фононной моды SiC в спектре комбинационного рассеяния света подтверждает образование 3С-SiC. Отмечено, что наличие спектральной линии 180 см–1 и полуширина полосы 793 см–1 в спектре комбинационного рассеяния света свидетельствуют о присутствии дефектов деформации в SiC.