Плазмонное поглощение инфракрасного излучения в периодических структурах Si/Si3N4/SiO2/Si/Al с окошечным поверхностным слоем - Мухаммад, Асия Имрановна; Наливайко, Олег Юрьевич; Колос, Владимир Владимирович; Гайдук, Петр Иванович (Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 2024)
Методом инфракрасной фурье-спектрометрии получены спектры пропускания и отражения периодических структур Si/Si3N4/SiO2/Si и Si/Si3N4/SiO2/Si/Al с окошечным поверхностным слоем до и после проведения термического отжига. Экспериментальные спектры пропускания и поглощения исследованы в сравнении с теоретическими спектрами, рассчитанными с помощью метода конечных разностей во временной области. Отмечена хорошая корреляция теоретических и экспериментальных спектров пропускания. Обнаружено, что после проведения термического отжига коэффициент пропускания структур снижается на 5–20 %. Продемонстрировано, что осаждение на обратную сторону структуры пленки алюминия толщиной 90 нм не влияет на коэффициент пропускания неотожженной структуры, но более чем на 20 % уменьшает коэффициент пропускания отожженной структуры. Показано, что интенсивность поглощения структуры n+-Si/poly-Si/Si3N4/SiO2/Si /Al не опускается ниже 70 % в диапазоне длин волн 2,5–9,0 мкм, при этом интенсивность пика поглощения на длине волны 4,3 мкм составляет 87 %. Установлено, что появление в спектрах поглощения отожженной структуры пиков поглощения на длинах волн 4,3 и 8,0 мкм может быть связано с возникновением плазмонных эффектов из-за периодичности структуры.