Модификация пленок диазохинонноволачного фоторезиста имплантацией ионов бора - Бринкевич, Дмитрий Иванович; Просолович, Владислав Савельевич; Янковский, Юрий Николаевич (Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 2020)
Методом нарушенного полного внутреннего отражения исследованы пленки диазохинонноволачного фоторезиста, имплантированные ионами бора. Пленки позитивного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,0 и 2,5 мкм наносились методом центрифугирования на пластины кремния p-типа, легированного бором, с ориентацией (111). Имплантация ионами B+с энергией 60 кэВ в интервале доз 1015–1016 cм–2 в режиме постоянного ионного тока (плотностью 4 мкА/см2 ) проводилась при комнатной температуре в остаточном вакууме не более 10–5 Па на имплантаторе «Везувий-6». Спектры нарушенного полного внутреннего отражения регистрировались в диапазоне 400 – 4000 см–1 спектрофотометром ALPHA (Bruker Optik GmbH, Германия) при комнатной температуре. Показано, что ионная имплантация приводит к интенсивной трансформации фоторезиста за областью пробега ионов, которая характеризуется появлением в спектре интенсивных полос с максимумами при 2151 и 2115 см–1, обусловленных валентными колебаниями двойных кумулятивных связей, в частности С——С——О. В имплантированных образцах наблюдалось смещение в низкоэнергетичную область максимумов валентных колебаний С—Н-связей, плоскостных деформационных колебаний О—Н-связей и пульсационных колебаний углеродного скелета ароматических колец, а также перераспределение интенсивностей между близкорасположенными максимумами.
Keywords: диазохинонноволачный фоторезист; ионная имплантация; ионы бора; спектры нарушенного полного внутреннего отражения; валентные колебания