Моделирование плазмонного резонанса в периодических многослойных структурах на основе хрома с поверхностным островковым слоем - Кошелев, Илья Романович; Мухаммад, Асия Имрановна; Гайдук, Петр Иванович (Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 2021)
Методом конечных разностей во временной области проведено моделирование оптических свойств структур Cr/Si/Cr и Cr/CrSi2 /Cr с периодически расположенными островками хрома. Обнаружено, что для рассматриваемых структур характерно явление плазмонного резонанса. Определены зависимости интенсивности и положения пика плазмонного поглощения от толщины и радиуса островков. Отмечено, что при увеличении толщины островков до 120 нм интенсивность пика поглощения возрастает до 69 % для структуры Cr/Si/Cr и до 55 % для структуры Cr/CrSi2 /Cr. Установлено, что пик плазмонного поглощения в спектре структуры Cr/Si/Cr находится на меньшей длине волны (8,4 мкм для Cr/Si/Cr, 11,1 мкм для Cr/CrSi2/Cr), а также имеет бóльшую интенсивность (доля поглощенного излучения на 14 % выше по сравнению с пиком плазмонного поглощения в спектре структуры Cr/CrSi2 /Cr). Полученные зависимости указывают на возможность использования структур Cr/Si/Cr и Cr/CrSi2 /Cr в качестве детекторов ИК-диапазона.
Keywords: плазмонный резонанс; периодические островковые структуры; спектры оптического поглощения