Формирование голографических дифракционных решеток в тонких пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников - Настас, Андриан Михайлович; Иову, Михаил Селевестрович; Агишев, Игорь Николаевич; Гаврусенок, Илья Владимирович; Мельникова, Елена Александровна; Сташкевич, Игорь Вячеславович; Толстик, Алексей Леонидович (Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 2021)
Исследовано формирование голографических дифракционных решеток в тонких пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников. Проанализирован процесс записи голографических решеток на длине волны излучения аргонового лазера 488 нм, а также процесс химического травления, позволяющий создать рельефную голографическую решетку. Определены оптимальные условия формирования дифракционных решеток в пленках сульфида мышьяка. Показано, что на длине волны аргонового лазера 488 нм оптимальная экспозиция составила ∼5–8 Дж/см2. На стадии записи образуется квазифазовая (рельефно-фазовая) решетка с дифракционной эффективностью на уровне единиц процентов. Травление экспонированного образца раствором щелочи NaOH в деионизированной воде и изопропаноле позволило существенно увеличить глубину рельефа и повысить дифракционную эффективность тонкой рельефной решетки примерно до 20 % для красной области спектра и приблизиться к максимальному значению (∼34 %) для ближней инфракрасной области. Результаты исследования перспективны для создания рельефных голографических решеток в сфере оптического приборостроения (спектральное оборудование, голографические прицелы и др.).
Keywords: голографическая решетка; дифракционная структура; халькогенидный стеклообразный полупроводник; фоторезист