Формирование эпитаксиальных пленок InSb на полуизолирующем GaAs(100) методом взрывного термического испарения: их структура и электрические свойства - Колесникова, Евгения Александровна; Углов, Владимир Васильевич; Кулешов, Андрей Константинович; Русальский, Дмитрий Петрович (Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 2021)
Исследованы фазовый состав, кристаллическое совершенство и электрические свойства пленок антимонида индия (InSb), обусловленные температурой их осаждения на подложки полуизолирующего GaAs(100). Методом взрывного термического осаждения порошка InSb на подложки полуизолирующего GaAs(100) в интервале температур 375–460 °С были сформированы тонкие пленки InSb различной степени кристаллического совершенства. Рентгеноструктурным анализом установлено, что пленки InSb являются гетероэпитаксиальными. Показано, что увеличение температуры осаждения от 375 до 460 °С приводит к изменению шероховатости (Ra) поверхности пленок от 3,4 до 19,1 нм. Чувствительность электродвижущей силы Холла к магнитному полю пленок InSb меняется в диапазоне 500–1500 мВ/Тл. Концентрация электронов (n) и их подвижность (μ) колеблются в интервале 2 ⋅ 1016 – 6 ⋅ 1016 см–3 и 10 ⋅ 103 – 21 ⋅ 103 см2/(B ⋅ c). Сформированные на подложке полуизолирующего GaAs(100) пленки InSb представляют практический интерес для изготовления высокочувствительных миниатюрных преобразователей Холла.
Keywords: антимонид индия; пленка; подложка; вакуумное осаждение; структура; электрические свойства