Колесникова, Е. А.; Углов, В. В.; Кулешов, А. К.; Русальский, Д. П. Формирование эпитаксиальных пленок InSb на полуизолирующем GaAs(100) методом взрывного термического испарения: их структура и электрические свойства. Журнал Белорусского государственного университета. Физика 2021, вып. 3, 20-25. https://doi.org/10.33581/2520-2243-2021-3-20-25.