Колесникова ЕА, Углов ВВ, Кулешов АК, Русальский ДП. Формирование эпитаксиальных пленок InSb на полуизолирующем GaAs(100) методом взрывного термического испарения: их структура и электрические свойства. Журнал Белорусского государственного университета. Физика. 2021;(3):20-25. doi:10.33581/2520-2243-2021-3-20-25