КОЛЕСНИКОВА, Евгения Александровна; УГЛОВ, Владимир Васильевич; КУЛЕШОВ, Андрей Константинович; РУСАЛЬСКИЙ, Дмитрий Петрович. Формирование эпитаксиальных пленок InSb на полуизолирующем GaAs(100) методом взрывного термического испарения: их структура и электрические свойства. Журнал Белорусского государственного университета. Физика, [S. l.], n. 3, p. 20–25, 2021. DOI: 10.33581/2520-2243-2021-3-20-25. Disponível em: https://journals.bsu.by/index.php/physics/article/view/3969. Acesso em: 17 июл. 2026.