Е. А. Колесникова, В. В. Углов, А. К. Кулешов, и Д. П. Русальский, «Формирование эпитаксиальных пленок InSb на полуизолирующем GaAs(100) методом взрывного термического испарения: их структура и электрические свойства», Журнал Белорусского государственного университета. Физика, вып. 3, сс. 20–25, окт. 2021, doi: 10.33581/2520-2243-2021-3-20-25.