[1]
М. В. . Лобанок, С. Л. . Прокопьев, М. А. . Моховиков, О. В. . Королик, и П. И. . Гайдук, «Формирование эпитаксиальных слоев 3C-SiC на Si методом быстрой вакуумно-термической обработки», Журнал Белорусского государственного университета. Физика, вып. 2, сс. 79–86, июн. 2022, doi: 10.33581/2520-2243-2022-2-79-86.