Колесникова, Евгения Александровна, и др. «Формирование эпитаксиальных пленок InSb на полуизолирующем GaAs(100) методом взрывного термического испарения: их структура и электрические свойства». Журнал Белорусского государственного университета. Физика, вып. 3, октябрь 2021 г., сс. 20-25, https://doi.org/10.33581/2520-2243-2021-3-20-25.