Колесникова, Евгения Александровна, Владимир Васильевич Углов, Андрей Константинович Кулешов, и Дмитрий Петрович Русальский. «Формирование эпитаксиальных пленок InSb на полуизолирующем GaAs(100) методом взрывного термического испарения: их структура и электрические свойства». Журнал Белорусского государственного университета. Физика, no. 3 (октябрь 20, 2021): 20–25. просмотрено июль 17, 2026. https://journals.bsu.by/index.php/physics/article/view/3969.