Колесникова ЕА, Углов ВВ, Кулешов АК, Русальский ДП. Формирование эпитаксиальных пленок InSb на полуизолирующем GaAs(100) методом взрывного термического испарения: их структура и электрические свойства. Журнал Белорусского государственного университета. Физика [Интернет]. 20 октябрь 2021 г. [цитируется по 17 июль 2026 г.];(3):20-5. доступно на: https://journals.bsu.by/index.php/physics/article/view/3969