Моделирование плазмонного резонанса в периодических многослойных структурах на основе хрома с поверхностным островковым слоем
Аннотация
Методом конечных разностей во временной области проведено моделирование оптических свойств структур Cr/Si/Cr и Cr/CrSi2 /Cr с периодически расположенными островками хрома. Обнаружено, что для рассматриваемых структур характерно явление плазмонного резонанса. Определены зависимости интенсивности и положения пика плазмонного поглощения от толщины и радиуса островков. Отмечено, что при увеличении толщины островков до 120 нм интенсивность пика поглощения возрастает до 69 % для структуры Cr/Si/Cr и до 55 % для структуры Cr/CrSi2 /Cr. Установлено, что пик плазмонного поглощения в спектре структуры Cr/Si/Cr находится на меньшей длине волны (8,4 мкм для Cr/Si/Cr, 11,1 мкм для Cr/CrSi2/Cr), а также имеет бóльшую интенсивность (доля поглощенного излучения на 14 % выше по сравнению с пиком плазмонного поглощения в спектре структуры Cr/CrSi2 /Cr). Полученные зависимости указывают на возможность использования структур Cr/Si/Cr и Cr/CrSi2 /Cr в качестве детекторов ИК-диапазона.
Литература
- Klimov VV. Nanoplazmonika [Nanoplasmonics]. Moscow: Fizmatlit; 2009. 480 p. Russian.
- Kaikai Du, Qiang Li, Weichun Zhang, Yuanqing Yang, Min Qiu. Wavelength and thermal distribution selectable microbolometers based on metamaterial absorbers. IEEE Photonics Journal. 2015;7(3):6800908. DOI: 10.1109/JPHOT.2015.2406763.
- Sotnikov DV, Zherdev AV, Dzantiev BB. [Detection of intermolecular interactions based on surface plasmon resonance registration]. Uspekhi biologicheskoi khimii. 2015;55:391–420. Russian.
- Palik ED, editor. Handbook of optical constants of solids. Volume 3. [S. l.]: Academic Press; 1998. 999 p.
- Krivosheeva AV, Shaposhnikov VL, Krivosheev AE, Filonov AB, Borisenko VE. Semiconducting properties of a CrSi2 with the strained lattice. Fizika i tekhnika poluprovodnikov. 2003;37(4):402–407. Russian.
- Noguez C. Surface plasmons on metal nanoparticles: the influence of shape and physical environment. The Journal of Physical Chemistry C. 2007;111(10):3806–3819. DOI: 10.1021/jp066539m.
- Shalimova KV. Fizika poluprovodnikov [Physics of semiconductors]. Saint Petersburg: Lan’; 2010. 390 p. Russian.
Copyright (c) 2021 Журнал Белорусского государственного университета. Физика

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция — Некоммерческое использование») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующим:
- Авторы сохраняют за собой авторские права на работу и предоставляют журналу право первой публикации работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution-NonCommercial. 4.0 International (CC BY-NC 4.0).
- Авторы сохраняют право заключать отдельные контрактные договоренности, касающиеся неэксклюзивного распространения версии работы в опубликованном здесь виде (например, размещение ее в институтском хранилище, публикацию в книге) со ссылкой на ее оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы имеют право размещать их работу в интернете (например, в институтском хранилище или на персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу. (См. The Effect of Open Access).