Влияние ориентационной анизотропии параметров поверхностно излучающих полупроводниковых лазеров на возможность получения поляризационных переключений
Аннотация
На основе численного моделирования проведено исследование влияния ориентационной анизотропии спонтанного испускания, коэффициента внутренних потерь и коэффициентов отражения брэгговских отражателей на характер поляризационных переключений в поверхностно излучающих полупроводниковых лазерах. Показано, что ориентационная анизотропия спонтанного излучения практически не влияет на характеристики поляризационных переключений, в то время как даже малая анизотропия коэффициентов отражения брэгговских отражателей может существенно сдвигать точку поляризационных переключений. Ориентационная анизотропия коэффициента внутренних потерь может как увеличивать эффекты анизотропии усиления, так и конкурировать с ними, меняя не только положение точки поляризационных переключений, но и предельные стационарные значения степени поляризации.
Литература
- Chang-Hasnain C. J., Harbison J. P., Florez L. T., et al. Polarization characteristics of quantum well vertical cavity surface emitting lasers. Electron. Lett. 1991. Vol. 27, issue 2. P. 163–165. DOI: 10.1049/el:19910105.
- Ostermann J. M., Michalzik R. Polarization Control of VCSELs. VCSELs. 2013. Vol. 166. P. 147–180. DOI: 10.1007/978-3-642-24986-0_5.
- Kawaguchi H. Recent progress in polarization-bistable VCSELs and their applications to all-optical signal processing. Adv. lasers. 2015. P. 1–17. DOI: 10.1007/978-94-017-9481-7_1.
- Martin-Regalado J., Prati F., San Miguel M., et al. Polarization properties of vertical-cavity surface-emitting lasers. IEEEJ. Quantum Electron. 1997. Vol. 33, issue 5. P. 765–783. DOI: 10.1109/3.572151.
- Prati F., Caccia P., Castelli F. Effects of gain saturation on polarization switching in vertical-cavity surface-emitting lasers. Phys. Rev. A. 2002. Vol. 66, issue 6. Article ID: 063811. DOI: 10.1103/PhysRevA.66.063811.
- Jadan M., Burov L. I., Gorbatsevich A. S., et al. Polarization switching in single-mode semiconductor injection laser. Zh. prikl. spektrosk. [J. Appl. Spectrosc.]. 2009. Vol. 76, No. 5. P. 717–724 (in Russ.).
- Jadan M., Burov L. I., Gorbatsevich A. S., et al. Dynamics of polarization switching in single-mode injection semiconductor laser. Zh. prikl. spektrosk. [J. Appl. Spectrosc.]. 2010. Vol. 77, No. 1. P. 74–81 (in Russ.).
- Berger G., Muller R., Klehr A., et al. Polarization bistability in strained ridge waveguide InGaAsP/InP lasers: Experiment and theory. J. Appl. Phys. 1995. Vol. 77. P. 6135–6144. DOI: 10.1063/1.359139.
- Burak D., Moloney J. V., Binder R. Macroscopic versus microscopic description of polarization properties of optically anisotropic vertical-cavity surface-emitting lasers. IEEE J. Quantum Electron. 2000. Vol. 36, issue 8. P. 956–970. DOI: 10.1109/3.853556.
- Danckaert J., Nagler B., Albert J., et al. Minimal rate equations describing polarization switching in vertical-cavity surface-emitting lasers. Opt. Commun. 2002. Vol. 201. P. 129–137.
- Burov L. I., Gorbatsevich A. S., Lobatsevich P. M. The induced amplification dichroism in surface-emitting semiconductor lasers. Vestnik BGU. Ser. 1, Fiz. Mat. Inform. 2016. No. 3. P. 63–70 (in Russ.).
- Ryvkin B., Panajotov K., Georgievski A., et al. Effect of photon-energy-dependent loss and gain mechanisms on polarization switching in vertical-cavity surface-emitting lasers. J. Opt. Soc. Am. B. 1999. Vol. 16, No. 1. P. 2106–2111. DOI: 10.1364/70SAB.16.002106.
- Cassidy D. T., Adams C. S. Polarization of the output of InGaAsP semiconductor diode laser. IEEE J. Quantum Electron. 1989. Vol. 25, issue 6. P. 1156–1160. DOI: 10.1109/3.29241.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующим:
- Авторы сохраняют за собой авторские права на работу и предоставляют журналу право первой публикации работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution-NonCommercial. 4.0 International (CC BY-NC 4.0).
- Авторы сохраняют право заключать отдельные контрактные договоренности, касающиеся неэксклюзивного распространения версии работы в опубликованном здесь виде (например, размещение ее в институтском хранилище, публикацию в книге) со ссылкой на ее оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы имеют право размещать их работу в интернете (например, в институтском хранилище или на персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу. (См. The Effect of Open Access).