Применение быстрой термической обработки для отжига ионно-легированных слоев в поликремнии
Аннотация
Рассмотрена возможность использования быстрой термической обработки для формирования ионно-легированных слоев в поликремнии. Показано, что применение быстрой термической обработки позволяет уменьшить перераспределение внедренной примеси, получить более полную ее электрическую активацию. Объяснен ускоренный процесс диффузии внедренной в поликремний примеси при использовании мощного светового потока.
Литература
- Turtsevich A. S., Anufriev L. P. [Polycrystalline Silicon Films in the Production Technology of Integrated Circuits and Semiconductor Devices]. Minsk, 2006.
- Vogler D., Doe P. ALD Special Report: Whereʼs the metal? Solid State Technol. 2003. No. 1. P. 35–40.
Copyright (c) 2017 Журнал Белорусского государственного университета. Физика
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция — Некоммерческое использование») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующим:
- Авторы сохраняют за собой авторские права на работу и предоставляют журналу право первой публикации работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution-NonCommercial. 4.0 International (CC BY-NC 4.0).
- Авторы сохраняют право заключать отдельные контрактные договоренности, касающиеся неэксклюзивного распространения версии работы в опубликованном здесь виде (например, размещение ее в институтском хранилище, публикацию в книге) со ссылкой на ее оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы имеют право размещать их работу в интернете (например, в институтском хранилище или на персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу. (См. The Effect of Open Access).