Формирование силицидов в двухслойных структурах никель-ванадиевый сплав – платина на кремнии при быстрой термической обработке
Аннотация
Методами резерфордовского обратного рассеяния, рентгенофазового анализа, просвечивающей электронной микроскопии и просвечивающей электронной дифракции исследовано влияние температуры быстрой термической обработки структур никель-ванадиевый сплав – платина на кремниевых подложках с ориентацией (111) на структурно-фазовые превращения в формирующихся слоях силицидов и их контактно-барьерные свойства. Толщина слоя никель-ванадиевого сплава (93 мас. % Ni, 7 мас. % V) составляла от 20 до 60 нм, толщина слоя платины – 40 нм. Быструю термическую обработку проводили в режиме теплового баланса путем облучения обратной стороны подложек некогерентным световым потоком кварцевых галогенных ламп постоянной мощности в среде азота в течение 7 с до достижения температуры от 400 до 600 °С. Обнаружено, что при температуре 400 °С на границе раздела с кремнием формируется слой PtSi. Увеличение температуры до 450 °С приводит к диффузии никеля из поверхностного слоя к подложке с последующим образованием на границе раздела с кремнием квазиэпитаксиальных доменов NiSi. При температуре выше 500 °С происходят усиление диффузии платины к границе раздела с кремнием и формирование двойного силицида NiPtSi. В диапазоне температур от 550 до 600 °С профиль распределения никеля и платины по толщине силицидного слоя становится равномерным. При этом содержание в нем никеля пропорционально исходной толщине слоя никель-ванадиевого сплава, а ванадий после быстрой термической обработки локализуется в приповерхностной области силицидного слоя и не влияет на его контактно-барьерные свойства. Установлено, что силицидный слой с уменьшенной дефектностью границы раздела с кремнием и наилучшей воспроизводимостью высоты барьера Шоттки формируется при температуре 550 °С. При изменении толщины слоя никель-ванадиевого сплава высота барьера Шоттки в этом случае варьируется от 0,77 до 0,81 В.
Литература
- Finstad TG, Mayer JW, Nicolet M-A. The formation of NiSi from Ni2Si studied with a platinum marker. Thin Solid Films. 1978;51(3):391–394. DOI: 10.1016/0040-6090(78)90303-6.
- Turtsevich AS, Solovjov JA, Anufriev DL, Milchanin OV. [Structural and morphological features of Si/PtSi interface in Schottky diodes for power electronics]. Vakuumnaya tekhnika i tekhnologiya. 2006;16(4):271–275. Russian. EDN: HVUGUF.
- Mantovani S, Nava F, Nobili C, Queirolo G, Celotti G. Pt – Ni bilayers on n‐type silicon: metallurgical and electrical behavior. Journal of Applied Physics. 1984;55(4):899–908. DOI: 10.1063/1.333141.
- Liu JF, Feng JY, Zhu J. Comparison of the thermal stability of NiSi films in Ni/Pt/(111)Si and Ni/Pt/(100)Si systems. Journal of Applied Physics. 2001;90(2):745–749. DOI: 10.1063/1.1379053.
- Finstad TG. Silicide formation with nickel and platinum double layers on silicon. Thin Solid Films. 1978;51(3):411–424. DOI: 10.1016/0040-6090(78)90305-X.
- Finstad TG, Nicolet M-A. Silicide formation with bilayers of Pd – Pt, Pd – Ni, and Pt – Ni. Journal of Applied Physics. 1979;50(1):303–307. DOI: 10.1063/1.325659.
- Hung L-S. Interactions between binary metallic alloys and Si, GeSi and GaAs. Materials Science Reports. 1992;7(6):221–269. DOI: 10.1016/0920-2307(92)90009-P.
- Doering R, Nishi Y, editors. Handbook of semiconductor manufacturing technology. 2nd edition. Boca Raton: CRC Press; 2008. 1720 p. DOI: 10.1201/9781420017663.
- Pilipenko VA. Bystrye termoobrabotki v tekhnologii SBIS [Rapid thermal treatments in ULSI technology]. Minsk: Publishing Centre of the Belarusian State University; 2004. 531 p. Russian.
- Chaplanov AM, Markevich MI, Malyshko AN, Shcherbakova YeN, Solodukha VA, Turtsevich AS, et al. Features of phase transformations in a NiV – Pt – Si system during stationary stepped annealing. Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2015;79(11):1360–1363. DOI: 10.3103/S1062873815110052.
- Sze SM. Physics of semiconductor devices. 2nd edition. New York: John Wiley and Sons; 1981. XII, 868 p. Russian edition: Sze SM. Fizika poluprovodnikovykh priborov. Kniga 1. Gergel’ VA, Rakitin VV, translators; Suris RA, editor. Moscow: Mir; 1984. 456 p.
- Solovjov JA, Gaiduk PI. Features of structural and phase transitions in layers of Ni – Pt – V alloy on silicon during rapid heat treatment. Doklady BGUIR. 2024;22(4):5–13. Russian.
- Alberti A, Bongiorno C, Alippi P, La Magna A, Spinella C, Rimini E. Structural characterization of Ni2Si pseudoepitaxial transrotational structures on [001] Si. Acta Crystallographica Section B: Structural Science, Crystal Engineering and Materials. 2006;62(part 5):729–736. DOI: 10.1107/S0108768106029727.
- Alberti A, La Magna A. Role of the early stages of Ni – Si interaction on the structural properties of the reaction products. Journal of Applied Physics. 2013;114(12):121301. DOI: 10.1063/1.4818630.
- Hoummada K, Perrin-Pellegrino C, Mangelinck D. Effect of Pt addition on Ni silicide formation at low temperature: growth, redistribution, and solubility. Journal of Applied Physics. 2009;106(6):063511. DOI: 10.1063/1.3204948.
- Maex K, van Rossum M, editors. Properties of metal silicides. Stevenage: INSPEC; 1995. XIV, 335 p. (EMIS datareviews series; number 14).
Copyright (c) 2024 Журнал Белорусского государственного университета. Физика
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция — Некоммерческое использование») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующим:
- Авторы сохраняют за собой авторские права на работу и предоставляют журналу право первой публикации работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution-NonCommercial. 4.0 International (CC BY-NC 4.0).
- Авторы сохраняют право заключать отдельные контрактные договоренности, касающиеся неэксклюзивного распространения версии работы в опубликованном здесь виде (например, размещение ее в институтском хранилище, публикацию в книге) со ссылкой на ее оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы имеют право размещать их работу в интернете (например, в институтском хранилище или на персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу. (См. The Effect of Open Access).