Формирование силицидов в двухслойных структурах никель-ванадиевый сплав – платина на кремнии при быстрой термической обработке

  • Ярослав Александрович Соловьёв «Интеграл» – управляющая компания холдинга «Интеграл», ул. Казинца, 121а, 220108, г. Минск, Беларусь
  • Петр Иванович Гайдук Белорусский государственный университет, пр. Независимости, 4, 220030, г. Минск, Беларусь

Аннотация

Методами резерфордовского обратного рассеяния, рентгенофазового анализа, просвечивающей электронной микроскопии и просвечивающей электронной дифракции исследовано влияние температуры быстрой термической обработки структур никель-ванадиевый сплав – платина на кремниевых подложках с ориентацией (111) на структурно-фазовые превращения в формирующихся слоях силицидов и их контактно-барьерные свойства. Толщина слоя никель-ванадиевого сплава (93 мас. % Ni, 7 мас. % V) составляла от 20 до 60 нм, толщина слоя платины – 40 нм. Быструю термическую обработку проводили в режиме теплового баланса путем облучения обратной стороны подложек некогерентным световым потоком кварцевых галогенных ламп постоянной мощности в среде азота в течение 7 с до достижения температуры от 400 до 600 °С. Обнаружено, что при температуре 400 °С на границе раздела с кремнием формируется слой PtSi. Увеличение температуры до 450 °С приводит к диффузии никеля из поверхностного слоя к подложке с последующим образованием на границе раздела с кремнием квазиэпитаксиальных доменов NiSi. При температуре выше 500 °С происходят усиление диффузии платины к границе раздела с кремнием и формирование двойного силицида NiPtSi. В диапазоне температур от 550 до 600 °С профиль распределения никеля и платины по толщине силицидного слоя становится равномерным. При этом содержание в нем никеля пропорционально исходной толщине слоя никель-ванадиевого сплава, а ванадий после быстрой термической обработки локализуется в приповерхностной области силицидного слоя и не влияет на его контактно-барьерные свойства. Установлено, что силицидный слой с уменьшенной дефектностью границы раздела с кремнием и наилучшей воспроизводимостью высоты барьера Шоттки формируется при температуре 550 °С. При изменении толщины слоя никель-ванадиевого сплава высота барьера Шоттки в этом случае варьируется от 0,77 до 0,81 В.

Биографии авторов

Ярослав Александрович Соловьёв, «Интеграл» – управляющая компания холдинга «Интеграл», ул. Казинца, 121а, 220108, г. Минск, Беларусь

кандидат технических наук, доцент; заведующий отраслевой лабораторией новых технологий и материалов

Петр Иванович Гайдук, Белорусский государственный университет, пр. Независимости, 4, 220030, г. Минск, Беларусь

доктор физико-математических наук, доцент; профессор кафедры физической электроники и нанотехнологий факультета радиофизики и компьютерных технологий

Литература

  1. Finstad TG, Mayer JW, Nicolet M-A. The formation of NiSi from Ni2Si studied with a platinum marker. Thin Solid Films. 1978;51(3):391–394. DOI: 10.1016/0040-6090(78)90303-6.
  2. Turtsevich AS, Solovjov JA, Anufriev DL, Milchanin OV. [Structural and morphological features of Si/PtSi interface in Schottky diodes for power electronics]. Vakuumnaya tekhnika i tekhnologiya. 2006;16(4):271–275. Russian. EDN: HVUGUF.
  3. Mantovani S, Nava F, Nobili C, Queirolo G, Celotti G. Pt – Ni bilayers on n‐type silicon: metallurgical and electrical behavior. Journal of Applied Physics. 1984;55(4):899–908. DOI: 10.1063/1.333141.
  4. Liu JF, Feng JY, Zhu J. Comparison of the thermal stability of NiSi films in Ni/Pt/(111)Si and Ni/Pt/(100)Si systems. Journal of Applied Physics. 2001;90(2):745–749. DOI: 10.1063/1.1379053.
  5. Finstad TG. Silicide formation with nickel and platinum double layers on silicon. Thin Solid Films. 1978;51(3):411–424. DOI: 10.1016/0040-6090(78)90305-X.
  6. Finstad TG, Nicolet M-A. Silicide formation with bilayers of Pd – Pt, Pd – Ni, and Pt – Ni. Journal of Applied Physics. 1979;50(1):303–307. DOI: 10.1063/1.325659.
  7. Hung L-S. Interactions between binary metallic alloys and Si, GeSi and GaAs. Materials Science Reports. 1992;7(6):221–269. DOI: 10.1016/0920-2307(92)90009-P.
  8. Doering R, Nishi Y, editors. Handbook of semiconductor manufacturing technology. 2nd edition. Boca Raton: CRC Press; 2008. 1720 p. DOI: 10.1201/9781420017663.
  9. Pilipenko VA. Bystrye termoobrabotki v tekhnologii SBIS [Rapid thermal treatments in ULSI technology]. Minsk: Publishing Centre of the Belarusian State University; 2004. 531 p. Russian.
  10. Chaplanov AM, Markevich MI, Malyshko AN, Shcherbakova YeN, Solodukha VA, Turtsevich AS, et al. Features of phase transformations in a NiV – Pt – Si system during stationary stepped annealing. Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2015;79(11):1360–1363. DOI: 10.3103/S1062873815110052.
  11. Sze SM. Physics of semiconductor devices. 2nd edition. New York: John Wiley and Sons; 1981. XII, 868 p. Russian edition: Sze SM. Fizika poluprovodnikovykh priborov. Kniga 1. Gergel’ VA, Rakitin VV, translators; Suris RA, editor. Moscow: Mir; 1984. 456 p.
  12. Solovjov JA, Gaiduk PI. Features of structural and phase transitions in layers of Ni – Pt – V alloy on silicon during rapid heat treatment. Doklady BGUIR. 2024;22(4):5–13. Russian.
  13. Alberti A, Bongiorno C, Alippi P, La Magna A, Spinella C, Rimini E. Structural characterization of Ni2Si pseudoepitaxial transrotational structures on [001] Si. Acta Crystallographica Section B: Structural Science, Crystal Engineering and Materials. 2006;62(part 5):729–736. DOI: 10.1107/S0108768106029727.
  14. Alberti A, La Magna A. Role of the early stages of Ni – Si interaction on the structural properties of the reaction products. Journal of Applied Physics. 2013;114(12):121301. DOI: 10.1063/1.4818630.
  15. Hoummada K, Perrin-Pellegrino C, Mangelinck D. Effect of Pt addition on Ni silicide formation at low temperature: growth, redistribution, and solubility. Journal of Applied Physics. 2009;106(6):063511. DOI: 10.1063/1.3204948.
  16. Maex K, van Rossum M, editors. Properties of metal silicides. Stevenage: INSPEC; 1995. XIV, 335 p. (EMIS datareviews series; number 14).
Опубликован
2024-05-23
Ключевые слова: силициды, никель, быстрая термическая обработка, структурно-фазовые превращения, барьер Шоттки, платина
Поддерживающие организации Работа выполнена в рамках проектов государственных программ научных исследований «Фотоника, опто- и микроэлектроника» (№ гос. регистрации 20191100) и «Фотоника и электроника для инноваций» (№ гос. регистрации 20212702). Авторы признательны О. В. Мильчанину и С. В. Злоцкому за помощь в проведении эксперимента.
Как цитировать
Соловьёв, Я. А., & Гайдук, П. И. (2024). Формирование силицидов в двухслойных структурах никель-ванадиевый сплав – платина на кремнии при быстрой термической обработке. Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 2, 57-68. Доступно по https://journals.bsu.by/index.php/physics/article/view/6150
Раздел
Физика конденсированного состояния