Уточнение критерия сильной локализации  электронов на поверхности полупроводника

  • Темур Ташкабаевич Муратов Ташкентский государственный педагогический университет им. Низами, ул. Бунёдкор, 27, 100185, г. Ташкент, Узбекистан

Аннотация

Анализируется возможность значительной локализации двумерного электронного газа на поверхности сильнолегированного полупроводника. Получена аналитическая формула для среднего сечения низкоэнергетического рассеяния приповерхностных электронов с учетом функции распределения Ферми – Дирака. Отмечается существенная особенность точки EF = 0 в квазидвумерных электронных системах, в отличие от их трехмерных аналогов. На основе правила Иоффе – Регеля и полученной формулы для среднего сечения рассеяния найден более точный, реалистичный критерий сильной локализации, чем тот, который был определен в других цитируемых работах.

Биография автора

Темур Ташкабаевич Муратов, Ташкентский государственный педагогический университет им. Низами, ул. Бунёдкор, 27, 100185, г. Ташкент, Узбекистан

соискатель кафедры методики преподавания физики и астрономии физико-математического факультета

Литература

  1. Bondarenko V. B., Kuzmin M. V., Korablev V. V. [An analysis of as-grown inhomogeneities peculiar to the surface potential of the impurity semiconductor]. Fiz. Tekh. Poluprovodn. [Semiconductors]. 2001. Vol. 35, issue 8. P. 964–968 (in Russ.).
  2. Gantmakher V. F. Elektrony v neuporyadochennykh sredakh [Electrons in disordered mediums]. Moscow : Fizmatlit, 2013 (in Russ.).
  3. Landau L. D., Lifshits E. M. Teoreticheskaya fizika [Theoretical physics] : in 10 vols. Moscow : Nauka, 1989. Vol. 3 : Kvantovaya mekhanika (nerelyativistskaya teoriya) [Quantum mechanics (nonrelativistic theory)] (in Russ.).
  4. Bondarenko V. B., Filimonov A. V. [A criterion for strong localization on a semiconductor surface in the Thomas – Fermi approximation]. Fiz. Tekh. Poluprovodn. [Semiconductors]. 2017. Vol. 51, issue 10. P. 1372–1375 (in Russ.). DOI: 10.21883/FTP.2017. 10.45015.8507.
  5. Askerov B. M. Kineticheskie effekty v poluprovodnikakh [Kinetic effects in semiconductors]. Leningrad : Nauka, 1970 (in Russ.).
  6. Benemanskaya G. V., Jmeric V. N., Lapushkin M. N., et al. Accumulation nano-layer – 2D-electron channel of ultrathin interfaces Cs /n-InGaN. Fiz. Tverd. Tela. 2009. Vol. 51, issue 2. P. 372–376. PACS: 73.20-r, 73.21.Fg, 79.60.Dp (in Russ.).
  7. Nikiforov A. F., Uvarov V. B. Spetsialʼnye funktsii matematicheskoi fiziki [Special functions of mathematical physics]. Moscow : Nauka, 1978 (in Russ.).
Опубликован
2019-01-20
Ключевые слова: приповерхностный слой, естественный размерный эффект, правило Иоффе – Регеля, сечение двумерного рассеяния, приближение Томаса – Ферми, функция распределения Ферми – Дирака, критерий  сильной локализации
Как цитировать
Муратов, Т. Т. (2019). Уточнение критерия сильной локализации  электронов на поверхности полупроводника. Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 2, 117-124. Доступно по https://journals.bsu.by/index.php/physics/article/view/493
Выпуск
№ 2 (2018): Журнал Белорусского государственного университета. Физика
Раздел
Физика электромагнитных явлений

Copyright (c) 2018 Журнал Белорусского государственного университета. Физика

Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция — Некоммерческое использование») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующим:

  1. Авторы сохраняют за собой авторские права на работу и предоставляют журналу право первой публикации работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution-NonCommercial. 4.0 International (CC BY-NC 4.0).
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные контрактные договоренности, касающиеся неэксклюзивного распространения версии работы в опубликованном здесь виде (например, размещение ее в институтском хранилище, публикацию в книге) со ссылкой на ее оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Авторы имеют право размещать их работу в интернете (например, в институтском хранилище или на персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу. (См. The Effect of Open Access).