Морфология поверхности пленок теллурида кадмия, полученных методом вакуумного напыления на подложках из кремния и теллурида кадмия
Аннотация
Методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии и рентгеноструктурного анализа исследована морфология поверхности пленок теллурида кадмия, полученных на кремниевых подложках и подложках монокристаллического теллурида кадмия путем напыления в квазизамкнутом объеме. Показана возможность синтеза поликристаллических пленок с разным размером зерна и различной шероховатостью, изменяющимися в интервале от 2,5 до 5,0 мкм и от 34,1 до 87,5 нм соответственно. Обработка пленок бромбутиловым травителем приводит к изменению шероховатости поверхности до 17,9 нм. Элементный состав приповерхностного слоя пленки определялся методом рентгеноспектрального микроанализа, а структура – с помощью рентгеновского дифрактометра.
Литература
- Bovina L. A. [Physics of compounds AIIBVI]. Moscow, 1986.
- Voronkov E. N., Varganov S. V., Shalimov K. V. [The film photovoltaic cell based on CdTe]. Vopr. spets. elektroniki. 1984. Ser. 11, issue 2. P. 50–53 (in Russ.).
- Khamrokulov R. B. [Structure and electrical properties of CdTe films]. Vestnik Tadzhikskogo natsional’nogo univ. Ser. estestv. nauk. 2011. Vol. 70, No. 6. P. 26–31 (in Russ.).
- Ronassi A. A., Haleisha A. N., Zhukousky K. B., et al. Structure and photoelectrical properties of CdTe films produced by electrochemical deposition. Vestnik BGU. Ser. 1, Fiz. Mat. Inform. 2011. No. 1. P. 24–27 (in Russ.).
- Mayorov V. A. [Electro and morphological properties of the films of CdTe, synthesized by the method of molecular layering]. Fiz. tekh. poluprovodn. 2010. Vol. 44, issue 5. P. 590–593 (in Russ.).
- Sultonov N. S., Akobirova A. T., Khamrokulov R. B., et al. Structure CdTe films obtained by vacuum deposition in quasiclosed volume on various substrates. Vestnik Tadzhikskogo natsional’nogo univ. Ser. estestv. nauk. 2013. No. 2. P. 91–95 (in Russ.).
- Mironov V. L. [Introduction in skaning microscopy]. Nizhny Novgorod, 2004 (in Russ.).
- Schuka A. A. [Nanoelectronics]. Moscow, 2007 (in Russ.).
- Luft V. D., Perevoshchikov V. A., Vozmilova L. N., et al. [Physical and chemical methods of processing semiconductor]. Moscow, 1982 (in Russ.).
Copyright (c) 2017 Журнал Белорусского государственного университета. Физика
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция — Некоммерческое использование») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующим:
- Авторы сохраняют за собой авторские права на работу и предоставляют журналу право первой публикации работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution-NonCommercial. 4.0 International (CC BY-NC 4.0).
- Авторы сохраняют право заключать отдельные контрактные договоренности, касающиеся неэксклюзивного распространения версии работы в опубликованном здесь виде (например, размещение ее в институтском хранилище, публикацию в книге) со ссылкой на ее оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы имеют право размещать их работу в интернете (например, в институтском хранилище или на персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу. (См. The Effect of Open Access).